Intel Core i58300H Processor 8M Cache up to 4.00 GHz Спецификации продукции

Дата выпуска

Дата выпуска продукта.

Литография

Литография указывает на полупроводниковую технологию, используемую для производства интегрированных наборов микросхем и отчет показывается в нанометре (нм), что указывает на размер функций, встроенных в полупроводник.

Количество ядер

Количество ядер — это термин аппаратного обеспечения, описывающий число независимых центральных модулей обработки в одном вычислительном компоненте (кристалл).

Количество потоков

Поток или поток выполнения — это термин программного обеспечения, обозначающий базовую упорядоченную последовательность инструкций, которые могут быть переданы или обработаны одним ядром ЦП.

Базовая тактовая частота процессора

Базовая частота процессора — это скорость открытия/закрытия транзисторов процессора. Базовая частота процессора является рабочей точкой, где задается расчетная мощность (TDP). Частота измеряется в гигагерцах (ГГц) или миллиардах вычислительных циклов в секунду.

Максимальная тактовая частота в режиме Turbo

Максимальная тактовая частота в режиме Turbo — это максимальная тактовая частота при нагрузке на одно ядро процессора, которую можно достичь с помощью поддерживаемых им технологий Intel® Turbo Boost и Intel® Thermal Velocity Boost. Частота измеряется в гигагерцах (ГГц) или миллиардах вычислительных циклов в секунду.

Кэш-память

Кэш-память процессора — это область быстродействующей памяти, расположенная в процессоре.

Интеллектуальная кэш-память Intel® Smart Cache указывает на архитектуру, которая позволяет всем ядрам совместно динамически использовать доступ к кэшу последнего уровня.

Частота системной шины

Шина — это подсистема, передающая данные между компонентами компьютера или между компьютерами. В качестве примера можно назвать системную шину (FSB), по которой происходит обмен данными между процессором и блоком контроллеров памяти; интерфейс DMI, который представляет собой соединение «точка-точка» между встроенным контроллером памяти Intel и блоком контроллеров ввода/вывода Intel на системной плате; и интерфейс Quick Path Interconnect (QPI), соединяющий процессор и интегрированный контроллер памяти.

Частота с технологией Intel® Turbo Boost 2.

0^‡

Тактовая частота с технологией Intel® Turbo Boost 2.0 — это максимальная тактовая частота одного ядра процессора, которую можно достичь с помощью технологии Intel® Turbo Boost. Частота обычно измеряется в гигагерцах (ГГц) или миллиардах вычислительных циклов в секунду.

Расчетная мощность

Расчетная тепловая мощность (TDP) указывает на среднее значение производительности в ваттах, когда мощность процессора рассеивается (при работе с базовой частотой, когда все ядра задействованы) в условиях сложной нагрузки, определенной Intel. Ознакомьтесь с требованиями к системам терморегуляции, представленными в техническом описании.

Настраиваемая частота TDP (в сторону уменьшения)

Настраиваемая частота TDP (в сторону уменьшения) — режим работы процессора, при котором поведение и производительность изменяются при уменьшении величины TDP, при частоте процессора на неподвижных точках.

Настраиваемая частота TDP (в сторону уменьшения) определяет настраиваемую величину TDP (в сторону уменьшения). Частота измеряется в гигагерцах (ГГц) или миллиардах вычислительных циклов в секунду.

Настраиваемая величина TDP (в сторону уменьшения)

Настраиваемая величина TDP (в сторону уменьшения) — режим работы процессора, при котором поведение и производительность изменяются при уменьшении величины TDP, при частоте процессора на неподвижных точках. Этот режим обычно используется производителями систем для оптимизации мощности и производительности. Настраиваемая частота TDP (в сторону уменьшения) указывает на среднее значение производительности в ваттах, когда мощность процессора рассеивается (при работе в режиме настраиваемой величины TDP (в сторону уменьшения) в условиях сложной нагрузки, определяемой Intel.

Доступные варианты для встраиваемых систем

Доступные варианты для встраиваемых систем указывают на продукты, обеспечивающие продленную возможность приобретения для интеллектуальных систем и встроенных решений.

Спецификация продукции и условия использования представлены в отчете Production Release Qualification (PRQ). Обратитесь к представителю Intel для получения подробной информации.

Макс. объем памяти (зависит от типа памяти)

Макс. объем памяти означает максимальный объем памяти, поддерживаемый процессором.

Типы памяти

Процессоры Intel® поддерживают четыре разных типа памяти: одноканальная, двухканальная, трехканальная и Flex.

Макс. число каналов памяти

От количества каналов памяти зависит пропускная способность приложений.

Макс.

пропускная способность памяти

Макс. пропускная способность памяти означает максимальную скорость, с которой данные могут быть считаны из памяти или сохранены в памяти процессором (в ГБ/с).

Поддержка памяти ECC

^‡

Поддержка памяти ECC указывает на поддержку процессором памяти с кодом коррекции ошибок. Память ECC представляет собой такой типа памяти, который поддерживает выявление и исправление распространенных типов внутренних повреждений памяти. Обратите внимание, что поддержка памяти ECC требует поддержки и процессора, и набора микросхем.

Встроенная в процессор графическая система

^‡

Графическая система процессора представляет собой интегрированную в процессор схему обработки графических данных, которая формирует работу функций видеосистемы, вычислительных процессов, мультимедиа и отображения информации.

Системы HD-графики Intel®, Iris™ Graphics, Iris Plus Graphics и Iris Pro Graphics обеспечивают расширенное преобразование медиа-данных, высокие частоты кадров и возможность демонстрации видео в формате 4K Ultra HD (UHD). Для получения дополнительной информации см. страницу Технология Intel® Graphics.

Базовая частота графической системы

Базовая частота графической системы — это номинальная/гарантированная тактовая частота рендеринга графики (МГц).

Макс. динамическая частота графической системы

Макс. динамическая частота графической системы — это максимальная условная частота рендеринга (МГц), поддерживаемая HD-графикой Intel® с функцией Dynamic Frequency.

Макс.

объем видеопамяти графической системы

Максимальное количество памяти, доступное для графической системы процессора. Графическая система процессора использует ту же память, что и сам процессор (с учетом ограничений для ОС, драйвера и системы т.д).

Вывод графической системы

Вывод графической системы определяет интерфейсы, доступные для взаимодействия с отображениями устройства.

Поддержка 4K

Поддержка 4K определяет способность продукта воспроизводить данные с разрешением, как минимум, 3840 x 2160.

Макс. разрешение (HDMI 1.4)‡

Максимальное разрешение (HDMI) — максимальное разрешение, поддерживаемое процессором через интерфейс HDMI (24 бита на пиксель с частотой 60 Гц). Системное разрешение или разрешение экрана зависит от нескольких факторов дизайна системы, а именно, фактическое разрешение в системе может быть ниже.

Макс. разрешение (DP)‡

Максимальное разрешение (DP) — максимальное разрешение, поддерживаемое процессором через интерфейс DP (24 бита на пиксель с частотой 60 Гц). Системное разрешение или разрешение экрана зависит от нескольких факторов дизайна системы, а именно, фактическое разрешение в системе может быть ниже.

Макс. разрешение (eDP — встроенный плоский экран)

Максимальное разрешение (встроенный плоский экран) — максимальное разрешение, поддерживаемое процессором для встроенного плоского экрана (24 бита на пиксель с частотой 60 Гц). Системное разрешение или разрешение экрана зависит от нескольких факторов дизайна системы; фактическое разрешение на устройстве может быть ниже.

Макс. разрешение (VGA)‡

Максимальное разрешение (VGA) — максимальное разрешение, поддерживаемое процессором через интерфейс VGA (24 бита на пиксель с частотой 60 Гц). Системное разрешение или разрешение экрана зависит от нескольких факторов дизайна системы, а именно, фактическое разрешение в системе может быть ниже.

Поддержка DirectX*

DirectX* указывает на поддержку конкретной версии коллекции прикладных программных интерфейсов Microsoft для обработки мультимедийных вычислительных задач.

Поддержка OpenGL*

OpenGL (Open Graphics Library) — это язык с поддержкой различных платформ или кроссплатформенный прикладной программный интерфейс для отображения двухмерной (2D) и трехмерной (3D) векторной графики.

Intel® Quick Sync Video

Технология Intel® Quick Sync Video обеспечивает быструю конвертацию видео для портативных медиапроигрывателей, размещения в сети, а также редактирования и создания видео.

Технология InTru 3D

Технология Intel InTru 3D позволяет воспроизводить трехмерные стереоскопические видеоматериалы в формате Blu-ray* с разрешением 1080p, используя интерфейс HDMI* 1.4 и высококачественный звук.

Технология Intel® Clear Video HD

Технология Intel® Clear Video HD, как и предшествующая ее появлению технология Intel® Clear Video, представляет собой набор технологий кодирования и обработки видео, встроенный в интегрированную графическую систему процессора. Эти технологии делают воспроизведение видео более стабильным, а графику — более четкой, яркой и реалистичной. Технология Intel® Clear Video HD обеспечивает более яркие цвета и более реалистичное отображение кожи благодаря улучшениям качества видео.

Технология Intel® Clear Video

Технология Intel® Clear Video представляет собой набор технологий кодирования и обработки видео, встроенный в интегрированную графическую систему процессора. Эти технологии делают воспроизведение видео более стабильным, а графику — более четкой, яркой и реалистичной.

Редакция PCI Express

Редакция PCI Express — это версия, поддерживаемая процессором. PCIe (Peripheral Component Interconnect Express) представляет собой стандарт высокоскоростной последовательной шины расширения для компьютеров для подключения к нему аппаратных устройств. Различные версии PCI Express поддерживают различные скорости передачи данных.

Конфигурации PCI Express

^‡

Конфигурации PCI Express (PCIe) описывают доступные конфигурации каналов PCIe, которые можно использовать для привязки каналов PCH PCIe к устройствам PCIe.

Макс. кол-во каналов PCI Express

Полоса PCI Express (PCIe) состоит из двух дифференциальных сигнальных пар для получения и передачи данных, а также является базовым элементом шины PCIe. Количество полос PCI Express — это общее число полос, которое поддерживается процессором.

Поддерживаемые разъемы

Разъемом называется компонент, которые обеспечивает механические и электрические соединения между процессором и материнской платой.

T

_JUNCTION

Температура на фактическом пятне контакта — это максимальная температура, допустимая на кристалле процессора.

Поддержка памяти Intel® Optane™

^‡

Память Intel® Optane™ представляет собой новый революционный класс энергонезависимой памяти, работающей между системной памятью и устройствами хранения данных для повышения системной производительности и оперативности. В сочетании с драйвером технологии хранения Intel® Rapid она эффективно управляет несколькими уровнями систем хранения данных, предоставляя один виртуальный диск для нужд ОС, обеспечивая тем самым хранение наиболее часто используемой информации на самом быстродействующем уровне хранения данных. Для работы памяти Intel® Optane™ необходимы специальная аппаратная и программная конфигурации. Чтобы узнать о требованиях к конфигурации, посетите сайт https://www.intel.com/content/www/ru/ru/architecture-and-technology/optane-memory.html.

Технология Intel® Speed Shift

Технология Intel® Speed Shift использует аппаратно-управляемые P-состояния для обеспечения повышенной оперативности при обработке одного потока данных и кратковременных рабочих нагрузок, таких как веб-поиск, позволяя процессору быстрее выбирать нужную частоту и напряжение для поддержания оптимальной производительности и энергоэффективности.

Технология Intel® Turbo Boost

^‡

Технология Intel® Turbo Boost динамически увеличивает частоту процессора до необходимого уровня, используя разницу между номинальным и максимальным значениями параметров температуры и энергопотребления, что позволяет увеличить эффективность энергопотребления или при необходимости «разогнать» процессор.

Соответствие платформе Intel® vPro™

^‡

Платформа Intel vPro® представляет собой набор аппаратных средств и технологий, используемых для создания конечных систем бизнес-вычислений с высокой производительностью, встроенной безопасностью, современными функциями управления и стабильности платформы.
Подробнее о технологии Intel vPro®

Технология Intel® Hyper-Threading

^‡

Intel® Hyper-Threading Technology (Intel® HT Technology) обеспечивает два потока обработки для каждого физического ядра. Многопоточные приложения могут выполнять больше задач параллельно, что значительно ускоряет выполнение работы.

Технология виртуализации Intel® (VT-x)

^‡

Технология Intel® Virtualization для направленного ввода/вывода (VT-x) позволяет одной аппаратной платформе функционировать в качестве нескольких «виртуальных» платформ. Технология улучшает возможности управления, снижая время простоев и поддерживая продуктивность работы за счет выделения отдельных разделов для вычислительных операций.

Технология виртуализации Intel® для направленного ввода/вывода (VT-d)

^‡

Технология Intel® Virtualization Technology для направленного ввода/вывода дополняет поддержку виртуализации в процессорах на базе архитектуры IA-32 (VT-x) и в процессорах Itanium® (VT-i) функциями виртуализации устройств ввода/вывода. Технология Intel® Virtualization для направленного ввода/вывода помогает пользователям увеличить безопасность и надежность систем, а также повысить производительность устройств ввода/вывода в виртуальных средах.

Intel® VT-x с таблицами Extended Page Tables (EPT)

^‡

Intel® VT-x с технологией Extended Page Tables, известной также как технология Second Level Address Translation (SLAT), обеспечивает ускорение работы виртуализованных приложений с интенсивным использованием памяти. Технология Extended Page Tables на платформах с поддержкой технологии виртуализации Intel® сокращает непроизводительные затраты памяти и энергопотребления и увеличивает время автономной работы благодаря аппаратной оптимизации управления таблицей переадресации страниц.

Intel® TSX-NI

Intel® Transactional Synchronization Extensions New Instructions (Intel® TSX-NI) представляют собой набор команд, ориентированных на масштабирование производительности в многопоточных средах. Эта технология помогает более эффективно осуществлять параллельные операции с помощью улучшенного контроля блокировки ПО.

Архитектура Intel® 64

^‡

Архитектура Intel® 64 в сочетании с соответствующим программным обеспечением поддерживает работу 64-разрядных приложений на серверах, рабочих станциях, настольных ПК и ноутбуках. ¹ Архитектура Intel® 64 обеспечивает повышение производительности, за счет чего вычислительные системы могут использовать более 4 ГБ виртуальной и физической памяти.

Набор команд

Набор команд содержит базовые команды и инструкции, которые микропроцессор понимает и может выполнять. Показанное значение указывает, с каким набором команд Intel совместим данный процессор.

Расширения набора команд

Расширения набора команд — это дополнительные инструкции, с помощью которых можно повысить производительность при выполнении операций с несколькими объектами данных. К ним относятся SSE (Поддержка расширений SIMD) и AVX (Векторные расширения).

Технология Intel® My WiFi

Технология Intel® My WiFi обеспечивает беспроводное подключение Ultrabook™ или ноутбука к устройствам с поддержкой WiFi, таким как принтеры, стереосистемы и т. д.

Состояния простоя

Режим состояния простоя (или C-состояния) используется для энергосбережения, когда процессор бездействует. C0 означает рабочее состояние, то есть ЦПУ в данный момент выполняет полезную работу. C1 — это первое состояние бездействия, С2 — второе состояние бездействия и т.д. Чем выше численный показатель С-состояния, тем больше действий по энергосбережению выполняет программа.

Enhanced Intel SpeedStep® Technology (Усовершенствованная технология Intel SpeedStep®)

Усовершенствованная технология Intel SpeedStep® позволяет обеспечить высокую производительность, а также соответствие требованиям мобильных систем к энергосбережению. Стандартная технология Intel SpeedStep® позволяет переключать уровень напряжения и частоты в зависимости от нагрузки на процессор. Усовершенствованная технология Intel SpeedStep® построена на той же архитектуре и использует такие стратегии разработки, как разделение изменений напряжения и частоты, а также распределение и восстановление тактового сигнала.

Технологии термоконтроля

Технологии термоконтроля защищают корпус процессора и систему от сбоя в результате перегрева с помощью нескольких функций управления температурным режимом. Внутрикристаллический цифровой термодатчик температуры (Digital Thermal Sensor — DTS) определяет температуру ядра, а функции управления температурным режимом при необходимости снижают энергопотребление корпусом процессора, тем самым уменьшая температуру, для обеспечения работы в пределах нормальных эксплуатационных характеристик.

Технология Intel® Flex Memory Access

Intel® Flex Memory Access обеспечивает простоту модернизации благодаря поддержке модулей памяти различного объёма, работающих в двухканальном режиме.

Технология защиты конфиденциальности Intel®

^‡

Технология защиты конфиденциальности Intel® — встроенная технология безопасности, основанная на использовании токенов. Эта технология предоставляет простые и надежные средства контроля доступа к коммерческим и бизнес-данным в режиме онлайн, обеспечивая защиту от угроз безопасности и мошенничества. Технология защиты конфиденциальности Intel® использует аппаратные механизмы аутентификации ПК на веб-сайтах, в банковских системах и сетевых службах, подтверждая уникальность данного ПК, защищает от несанкционированного доступа и предотвращает атаки с использованием вредоносного ПО. Технология защиты конфиденциальности Intel® может использоваться в качестве ключевого компонента решений двухфакторной аутентификации, предназначенных для защиты информации на веб-сайтах и контроля доступа в бизнес-приложения.

Программа Intel® Stable Image Platform (Intel® SIPP)

Программа Intel® SIPP (Intel® Stable Image Platform Program) подразумевает нулевые изменения основных компонентов платформ и драйверов в течение не менее чем 15 месяцев или до следующего выпуска поколения, что упрощает эффективное управление конечными вычислительными системами ИТ-персоналом.
Подробнее о программе Intel® SIPP

Новые команды Intel® AES

Команды Intel® AES-NI (Intel® AES New Instructions) представляют собой набор команд, позволяющий быстро и безопасно обеспечить шифрование и расшифровку данных. Команды AES-NI могут применяться для решения широкого спектра криптографических задач, например, в приложениях, обеспечивающих групповое шифрование, расшифровку, аутентификацию, генерацию случайных чисел и аутентифицированное шифрование.

Secure Key

Технология Intel® Secure Key представляет собой генератор случайных чисел, создающий уникальные комбинации для усиления алгоритмов шифрования.

Intel® Software Guard Extensions (Intel® SGX)

Расширения Intel® SGX (Intel® Software Guard Extensions) открывают возможности создания доверенной и усиленной аппаратной защиты при выполнении приложениями важных процедур и обработки данных. ПО Intel® SGX дает разработчикам возможность распределения кода программ и данных по защищенным центральным процессором доверенным средам выполнения, TEE (Trusted Execution Environment).

Команды Intel® Memory Protection Extensions (Intel® MPX)

Расширения Intel® MPX (Intel® Memory Protection Extensions) представляют собой набор аппаратных функций, которые могут использоваться программным обеспечением в сочетании с изменениями компилятора для проверки безопасности создаваемых ссылок памяти во время компиляции вследствие возможного переполнения или недогрузки используемого буфера.

Технология Intel® Trusted Execution

^‡

Технология Intel® Trusted Execution расширяет возможности безопасного исполнения команд посредством аппаратного расширения возможностей процессоров и наборов микросхем Intel®. Эта технология обеспечивает для платформ цифрового офиса такие функции защиты, как измеряемый запуск приложений и защищенное выполнение команд. Это достигается за счет создания среды, где приложения выполняются изолированно от других приложений системы.

Функция Бит отмены выполнения

^‡

Бит отмены выполнения — это аппаратная функция безопасности, которая позволяет уменьшить уязвимость к вирусам и вредоносному коду, а также предотвратить выполнение вредоносного ПО и его распространение на сервере или в сети.

Intel Xeon Processor E52650 v4 30M Cache 2.20 GHz Спецификации продукции

Дата выпуска

Дата выпуска продукта.

Литография

Литография указывает на полупроводниковую технологию, используемую для производства интегрированных наборов микросхем и отчет показывается в нанометре (нм), что указывает на размер функций, встроенных в полупроводник.

Количество ядер

Количество ядер — это термин аппаратного обеспечения, описывающий число независимых центральных модулей обработки в одном вычислительном компоненте (кристалл).

Количество потоков

Поток или поток выполнения — это термин программного обеспечения, обозначающий базовую упорядоченную последовательность инструкций, которые могут быть переданы или обработаны одним ядром ЦП.

Базовая тактовая частота процессора

Базовая частота процессора — это скорость открытия/закрытия транзисторов процессора. Базовая частота процессора является рабочей точкой, где задается расчетная мощность (TDP). Частота измеряется в гигагерцах (ГГц) или миллиардах вычислительных циклов в секунду.

Максимальная тактовая частота в режиме Turbo

Максимальная тактовая частота в режиме Turbo — это максимальная тактовая частота при нагрузке на одно ядро процессора, которую можно достичь с помощью поддерживаемых им технологий Intel® Turbo Boost и Intel® Thermal Velocity Boost. Частота измеряется в гигагерцах (ГГц) или миллиардах вычислительных циклов в секунду.

Кэш-память

Кэш-память процессора — это область быстродействующей памяти, расположенная в процессоре. Интеллектуальная кэш-память Intel® Smart Cache указывает на архитектуру, которая позволяет всем ядрам совместно динамически использовать доступ к кэшу последнего уровня.

Частота системной шины

Шина — это подсистема, передающая данные между компонентами компьютера или между компьютерами. В качестве примера можно назвать системную шину (FSB), по которой происходит обмен данными между процессором и блоком контроллеров памяти; интерфейс DMI, который представляет собой соединение «точка-точка» между встроенным контроллером памяти Intel и блоком контроллеров ввода/вывода Intel на системной плате; и интерфейс Quick Path Interconnect (QPI), соединяющий процессор и интегрированный контроллер памяти.

Кол-во соединений QPI

QPI (Quick Path Interconnect) обеспечивающий соединяет высокоскоростное соединение по принципу точка-точка при помощи шины между процессором и набором микросхем.

Частота с технологией Intel® Turbo Boost 2.0

^‡

Тактовая частота с технологией Intel® Turbo Boost 2.0 — это максимальная тактовая частота одного ядра процессора, которую можно достичь с помощью технологии Intel® Turbo Boost. Частота обычно измеряется в гигагерцах (ГГц) или миллиардах вычислительных циклов в секунду.

Расчетная мощность

Расчетная тепловая мощность (TDP) указывает на среднее значение производительности в ваттах, когда мощность процессора рассеивается (при работе с базовой частотой, когда все ядра задействованы) в условиях сложной нагрузки, определенной Intel. Ознакомьтесь с требованиями к системам терморегуляции, представленными в техническом описании.

Диапазон напряжения VID

Диапазон напряжения VID является индикатором значений минимального и максимального напряжения, на которых процессор должен работать. Процессор обеспечивает взаимодействие VID с VRM (Voltage Regulator Module), что, в свою очередь обеспечивает, правильный уровень напряжения для процессора.

Доступные варианты для встраиваемых систем

Доступные варианты для встраиваемых систем указывают на продукты, обеспечивающие продленную возможность приобретения для интеллектуальных систем и встроенных решений. Спецификация продукции и условия использования представлены в отчете Production Release Qualification (PRQ). Обратитесь к представителю Intel для получения подробной информации.

Макс. объем памяти (зависит от типа памяти)

Макс. объем памяти означает максимальный объем памяти, поддерживаемый процессором.

Типы памяти

Процессоры Intel® поддерживают четыре разных типа памяти: одноканальная, двухканальная, трехканальная и Flex.

Макс. число каналов памяти

От количества каналов памяти зависит пропускная способность приложений.

Макс. пропускная способность памяти

Макс. пропускная способность памяти означает максимальную скорость, с которой данные могут быть считаны из памяти или сохранены в памяти процессором (в ГБ/с).

Расширения физических адресов

Расширения физических адресов (PAE) — это функция, обеспечивающая возможность получения 32-разрядными процессорами доступа к пространству физических адресов, превышающему 4 гигабайта.

Поддержка памяти ECC

^‡

Поддержка памяти ECC указывает на поддержку процессором памяти с кодом коррекции ошибок. Память ECC представляет собой такой типа памяти, который поддерживает выявление и исправление распространенных типов внутренних повреждений памяти. Обратите внимание, что поддержка памяти ECC требует поддержки и процессора, и набора микросхем.

Редакция PCI Express

Редакция PCI Express — это версия, поддерживаемая процессором. PCIe (Peripheral Component Interconnect Express) представляет собой стандарт высокоскоростной последовательной шины расширения для компьютеров для подключения к нему аппаратных устройств. Различные версии PCI Express поддерживают различные скорости передачи данных.

Конфигурации PCI Express

^‡

Конфигурации PCI Express (PCIe) описывают доступные конфигурации каналов PCIe, которые можно использовать для привязки каналов PCH PCIe к устройствам PCIe.

Макс. кол-во каналов PCI Express

Полоса PCI Express (PCIe) состоит из двух дифференциальных сигнальных пар для получения и передачи данных, а также является базовым элементом шины PCIe. Количество полос PCI Express — это общее число полос, которое поддерживается процессором.

Поддерживаемые разъемы

Разъемом называется компонент, которые обеспечивает механические и электрические соединения между процессором и материнской платой.

T

_CASE

Критическая температура — это максимальная температура, допустимая в интегрированном теплораспределителе (IHS) процессора.

Технология Intel® Turbo Boost

^‡

Технология Intel® Turbo Boost динамически увеличивает частоту процессора до необходимого уровня, используя разницу между номинальным и максимальным значениями параметров температуры и энергопотребления, что позволяет увеличить эффективность энергопотребления или при необходимости «разогнать» процессор.

Соответствие платформе Intel® vPro™

^‡

Платформа Intel vPro® представляет собой набор аппаратных средств и технологий, используемых для создания конечных систем бизнес-вычислений с высокой производительностью, встроенной безопасностью, современными функциями управления и стабильности платформы.
Подробнее о технологии Intel vPro®

Технология Intel® Hyper-Threading

^‡

Intel® Hyper-Threading Technology (Intel® HT Technology) обеспечивает два потока обработки для каждого физического ядра. Многопоточные приложения могут выполнять больше задач параллельно, что значительно ускоряет выполнение работы.

Технология виртуализации Intel® (VT-x)

^‡

Технология Intel® Virtualization для направленного ввода/вывода (VT-x) позволяет одной аппаратной платформе функционировать в качестве нескольких «виртуальных» платформ. Технология улучшает возможности управления, снижая время простоев и поддерживая продуктивность работы за счет выделения отдельных разделов для вычислительных операций.

Технология виртуализации Intel® для направленного ввода/вывода (VT-d)

^‡

Технология Intel® Virtualization Technology для направленного ввода/вывода дополняет поддержку виртуализации в процессорах на базе архитектуры IA-32 (VT-x) и в процессорах Itanium® (VT-i) функциями виртуализации устройств ввода/вывода. Технология Intel® Virtualization для направленного ввода/вывода помогает пользователям увеличить безопасность и надежность систем, а также повысить производительность устройств ввода/вывода в виртуальных средах.

Intel® VT-x с таблицами Extended Page Tables (EPT)

^‡

Intel® VT-x с технологией Extended Page Tables, известной также как технология Second Level Address Translation (SLAT), обеспечивает ускорение работы виртуализованных приложений с интенсивным использованием памяти. Технология Extended Page Tables на платформах с поддержкой технологии виртуализации Intel® сокращает непроизводительные затраты памяти и энергопотребления и увеличивает время автономной работы благодаря аппаратной оптимизации управления таблицей переадресации страниц.

Intel® TSX-NI

Intel® Transactional Synchronization Extensions New Instructions (Intel® TSX-NI) представляют собой набор команд, ориентированных на масштабирование производительности в многопоточных средах. Эта технология помогает более эффективно осуществлять параллельные операции с помощью улучшенного контроля блокировки ПО.

Архитектура Intel® 64

^‡

Архитектура Intel® 64 в сочетании с соответствующим программным обеспечением поддерживает работу 64-разрядных приложений на серверах, рабочих станциях, настольных ПК и ноутбуках. ¹ Архитектура Intel® 64 обеспечивает повышение производительности, за счет чего вычислительные системы могут использовать более 4 ГБ виртуальной и физической памяти.

Набор команд

Набор команд содержит базовые команды и инструкции, которые микропроцессор понимает и может выполнять. Показанное значение указывает, с каким набором команд Intel совместим данный процессор.

Расширения набора команд

Расширения набора команд — это дополнительные инструкции, с помощью которых можно повысить производительность при выполнении операций с несколькими объектами данных. К ним относятся SSE (Поддержка расширений SIMD) и AVX (Векторные расширения).

Состояния простоя

Режим состояния простоя (или C-состояния) используется для энергосбережения, когда процессор бездействует. C0 означает рабочее состояние, то есть ЦПУ в данный момент выполняет полезную работу. C1 — это первое состояние бездействия, С2 — второе состояние бездействия и т.д. Чем выше численный показатель С-состояния, тем больше действий по энергосбережению выполняет программа.

Enhanced Intel SpeedStep® Technology (Усовершенствованная технология Intel SpeedStep®)

Усовершенствованная технология Intel SpeedStep® позволяет обеспечить высокую производительность, а также соответствие требованиям мобильных систем к энергосбережению. Стандартная технология Intel SpeedStep® позволяет переключать уровень напряжения и частоты в зависимости от нагрузки на процессор. Усовершенствованная технология Intel SpeedStep® построена на той же архитектуре и использует такие стратегии разработки, как разделение изменений напряжения и частоты, а также распределение и восстановление тактового сигнала.

Технология Intel® Demand Based Switching

Intel® Demand Based Switching — это технология управления питанием, в которой прикладное напряжение и тактовая частота микропроцессора удерживаются на минимальном необходимом уровне, пока не потребуется увеличение вычислительной мощности. Эта технология была представлена на серверном рынке под названием Intel SpeedStep®.

Технологии термоконтроля

Технологии термоконтроля защищают корпус процессора и систему от сбоя в результате перегрева с помощью нескольких функций управления температурным режимом. Внутрикристаллический цифровой термодатчик температуры (Digital Thermal Sensor — DTS) определяет температуру ядра, а функции управления температурным режимом при необходимости снижают энергопотребление корпусом процессора, тем самым уменьшая температуру, для обеспечения работы в пределах нормальных эксплуатационных характеристик.

Технология Intel® Flex Memory Access

Intel® Flex Memory Access обеспечивает простоту модернизации благодаря поддержке модулей памяти различного объёма, работающих в двухканальном режиме.

Технология защиты конфиденциальности Intel®

^‡

Технология защиты конфиденциальности Intel® — встроенная технология безопасности, основанная на использовании токенов. Эта технология предоставляет простые и надежные средства контроля доступа к коммерческим и бизнес-данным в режиме онлайн, обеспечивая защиту от угроз безопасности и мошенничества. Технология защиты конфиденциальности Intel® использует аппаратные механизмы аутентификации ПК на веб-сайтах, в банковских системах и сетевых службах, подтверждая уникальность данного ПК, защищает от несанкционированного доступа и предотвращает атаки с использованием вредоносного ПО. Технология защиты конфиденциальности Intel® может использоваться в качестве ключевого компонента решений двухфакторной аутентификации, предназначенных для защиты информации на веб-сайтах и контроля доступа в бизнес-приложения.

Новые команды Intel® AES

Команды Intel® AES-NI (Intel® AES New Instructions) представляют собой набор команд, позволяющий быстро и безопасно обеспечить шифрование и расшифровку данных. Команды AES-NI могут применяться для решения широкого спектра криптографических задач, например, в приложениях, обеспечивающих групповое шифрование, расшифровку, аутентификацию, генерацию случайных чисел и аутентифицированное шифрование.

Secure Key

Технология Intel® Secure Key представляет собой генератор случайных чисел, создающий уникальные комбинации для усиления алгоритмов шифрования.

Технология Intel® Trusted Execution

^‡

Технология Intel® Trusted Execution расширяет возможности безопасного исполнения команд посредством аппаратного расширения возможностей процессоров и наборов микросхем Intel®. Эта технология обеспечивает для платформ цифрового офиса такие функции защиты, как измеряемый запуск приложений и защищенное выполнение команд. Это достигается за счет создания среды, где приложения выполняются изолированно от других приложений системы.

Функция Бит отмены выполнения

^‡

Бит отмены выполнения — это аппаратная функция безопасности, которая позволяет уменьшить уязвимость к вирусам и вредоносному коду, а также предотвратить выполнение вредоносного ПО и его распространение на сервере или в сети.

MIAROSA GHAZAL RESORT 5* (Турция/Гёйнюк) — отзывы, фото и сравнение цен

Часто задаваемые вопросы об отеле ФАН&САН Миароса Газал Резорт

Какие популярные достопримечательности находятся недалеко от отеля ФАН&САН Миароса Газал Резорт?

Ближайшие достопримечательности: Göynük Canyon (4,3 км), Moon Light Parki (5,6 км) и Dinopark (3,1 км).

Какие удобства и услуги доступны в отеле ФАН&САН Миароса Газал Резорт?

Самые популярные предлагаемые удобства и услуги: крытый бассейн, бесплатный Wi-Fi и бесплатный завтрак.

Какие удобства и услуги в номерах доступны в отеле ФАН&САН Миароса Газал Резорт?

Лучшие удобства и услуги в номерах: мини-бар, кондиционер и ТВ с плоским экраном.

Какая еда и напитки доступны в отеле ФАН&САН Миароса Газал Резорт?

Во время пребывания у гостей есть возможность воспользоваться следующими услугами питания: бесплатный завтрак, ресторан и лобби.

Доступна ли парковка в отеле ФАН&САН Миароса Газал Резорт?

Да, гостям предоставляется доступ к услугам парковки бесплатная парковка и охраняемая парковка.

Какие рестораны расположены недалеко от отеля ФАН&САН Миароса Газал Резорт?

Поблизости находятся следующие рестораны: Captain Pirate Restaurant Cafe & Bar, Qualista Restaurant Marina и Merhaba Garden Restaurant.

Есть ли в отеле ФАН&САН Миароса Газал Резорт возможность заниматься спортом?

Да, во время пребывания гостям предоставляется доступ к следующим фитнес-услугам: крытый бассейн, фитнес-центр и сауна.

Предлагает ли отель ФАН&САН Миароса Газал Резорт трансфер от/до аэропорта?

Да, отель ФАН&САН Миароса Газал Резорт предлагает гостям трансфер от/до аэропорта. Мы рекомендуем позвонить заранее и уточнить все подробности.

Предоставляются ли в отеле ФАН&САН Миароса Газал Резорт услуги уборки?

Да, гостям предоставляется доступ к услугам уборки химчистка и прачечная.

Предлагает ли отель ФАН&САН Миароса Газал Резорт какие-либо бизнес-услуги?

Да, в отеле предлагаются бизнес-услуги конференц-залы, банкетный зал и конференц-залы.

На каких языках говорит персонал отеля ФАН&САН Миароса Газал Резорт?

Персонал говорит на нескольких языках, включая русский, арабский и турецкий.

Нужна дополнительная информации?

R&S®AC004R2 Omnidirectional antenna for circular right-hand polarization, 26.5 GHz to 40 GHz | Обзор

Запрос*

Введите текст запроса.

Согласие на получение маркетинговых материалов

Я соглашаюсь с тем, что ROHDE & SCHWARZ GmbH & Co. KG и предприятие ROHDE & SCHWARZ или его дочерняя компания, указанная на данном Веб-сайте, может обращаться ко мне выбранным способом (по электронной или обычной почте) с целью маркетинга и рекламы (например, сообщения о специальных предложениях и скидках), относящейся в числе прочего к продуктам и решениям в области контрольно-измерительной техники, защищенной связи, мониторинга и тестирования сети, вещания и средств массовой информации, а также кибербезопасности.Настоящее заявление о согласии может быть в любое время отозвано путем отправки электронного письма с темой «Unsubscribe» (отказ от подписки на рассылку) по адресу: [email protected].Кроме этого, в каждом отправляемом вам письме имеется ссылка на отказ от подписки на рассылку будущих рекламных материалов.Дополнительная информация об использовании персональных данных и процедуре отказа от их использования содержится в Положении о конфиденциальности.

Обязательное поле Предоставляя свои персональные данные, я подтверждаю их достоверность и свое согласие на их обработку Обществом с ограниченной ответственностью «РОДЕ и ШВАРЦ РУС» (ОГРН 1047796710389, ИНН 7710557825, находящемуся по адресу: Москва, Нахимовский проспект, 58) в следующем объеме и следующими способами: обработку с использованием средств автоматизации и без таковых, сбор, систематизацию, классификацию, накопление, хранение, уточнение, обновление, изменение, шифрование с помощью любых средств защиты, включая криптографическую, запись на электронные носители, составление и переработку перечней и информационных систем, включающих мои персональные данные, маркировку, раскрытие, трансграничную передачу моих персональных данных, том числе, на территории стран всего мира, передачу с использованием средств электронной почты и/или эцп, в том числе, передачу с использованием интернет-ресурсов, а также обезличивание, блокирование, уничтожение, передачу в государственные органы в случаях, предусмотренных законодательством, использование иными способами, необходимыми для обработки, но не поименованными выше до момента ликвидации / реорганизации Компании либо до моего отзыва настоящего согласия.

HP Xeon E5645 2.4 GHz (LB211AA)

Внимание! Для полноценной работы сайта необходимо включить в браузере поддержку JavaScript.
Как это сделать? Москва Связаться с нами

Режим работы
9:00 — 21:00

• Код товара: 251083

В избранное

Сравнить

Коротко о товаре: Процессор 12MB/1333 6C,2nd CPU (Z600, Z800)

Все характеристики

---

В избранное

Сравнить

HP Xeon E5645 2.4 GHz (LB211AA)

• Описание
• Характеристики
• Отзывы

• Основные характеристики

  Процессор 12MB/1333 6C,2nd CPU (Z600, Z800) LB211AAXeon E5645 2.4 GHz

  • Частота процессора

    2.4 ГГц

  • Модельный ряд

    Intel Xeon

  • Модель

    E5645

  • Микроархитектура

    Nehalem

  • Ядро

    Westmere-EP

  • Количество ядер

    6

  • Сокет

    LGA1366

  • Поддерживается чипсетами

    Intel 5500, Intel 5520

  • Поддержка Hyper-Threading

    Есть

  • Поддержка технологии Turbo Boost

    Есть

  • Частота процессора в режиме Turbo Boost

    2.8 ГГц

  • Техпроцесс

    32 нм

  • Базовая частота

    1066 МГц

  • Значение коэффициента умножения

    18

  • Множитель

    Заблокирован

  • Объем кэша L1

    384 кБ

  • Объем кэша L2

    1.5 МБ

  • Объем кэша L3

    12 МБ

  • Максимальный объем поддерживаемой памяти

    288 ГБ

  • Максимальная поддерживаемая частота

    1333 МГц

  • Минимальная поддерживаемая частота

    800 МГц

  • Тип памяти

    DDR3

  • Количество поддерживаемых каналов

    3

  • Максимальная пропускная способность шины памяти

    32 ГБ/с

  • Поддержка ECC

    Есть

  • Встроенное графическое ядро

    Нет

  • Напряжение на ядре(Ucore)

    0,75-1,35 В

  • Совместимость

    Z600, Z800

  • TDP

    80 Вт

  • Максимальная рабочая температура (Tcase)

    76.2 °C

  • Вид поставки

    Tray

  • Размеры

    42.5 x 45 мм

  • Ссылка на описание на сайте производителя

  Все характеристики

• Характеристики HP Xeon E5645 2.4 GHz (LB211AA)

  • Код заказа (Ordering code)

    LB211AA

  • Основные характеристики

  • Частота процессора

    2.4 ГГц

  • Модельный ряд

    Intel Xeon

  • Модель

    E5645

  • Микроархитектура

    Nehalem

  • Ядро

    Westmere-EP

  • Количество ядер

    6

  • Сокет

    LGA1366

  • Поддерживается чипсетами

    Intel 5500, Intel 5520

  • Поддержка Hyper-Threading

    Есть

  • Поддержка технологии Turbo Boost

    Есть

  • Частота процессора в режиме Turbo Boost

    2.8 ГГц

  • Техпроцесс

    32 нм

  • Базовая частота

    1066 МГц

  • Значение коэффициента умножения

    18

  • Множитель

    Заблокирован

  • Редакция PCI-Express

    2.0

  • Количество одновременно поддерживаемых процессоров

    2

  • Параметры кэш-памяти

  • Объем кэша L1

    384 кБ

  • Объем кэша L2

    1.5 МБ

  • Объем кэша L3

    12 МБ

  • Параметры процессорной шины

  • QPI (Intel QuickPath Interconnect)

    Есть

  • Максимальная пропускная способность процессорной шины

    5.86 ГТ/с

  • Поддерживаемые технологии

  • Поддержка AMD64/Intel 64/EM64T

    Есть

  • Поддерживаемые инструкции

    AVX, MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4

  • Поддержка NX Bit

    Есть

  • Поддержка Virtualization Technology (VT-x)

    Есть

  • Характеристики поддерживаемой памяти

  • Максимальный объем поддерживаемой памяти

    288 ГБ

  • Максимальная поддерживаемая частота

    1333 МГц

  • Минимальная поддерживаемая частота

    800 МГц

  • Тип памяти

    DDR3

  • Количество поддерживаемых каналов

    3

  • Максимальная пропускная способность шины памяти

    32 ГБ/с

  • Поддержка ECC

    Есть

  • Интегрированная графика

  • Встроенное графическое ядро

    Нет

  • Питание

  • Напряжение на ядре(Ucore)

    0,75-1,35 В

  • Дополнительные характеристики

  • Совместимость

    Z600, Z800

  • TDP

    80 Вт

  • Максимальная рабочая температура (Tcase)

    76.2 °C

  • Вид поставки

    Tray

  • Размеры

    42.5 x 45 мм

  • Ссылки

  • Ссылка на описание на сайте производителя

• Отзывы

  Пока никто не оставил отзыв, но вы можете стать первым!

  Оставить отзыв

• Описание
• Характеристики
• Отзывы

HP Xeon E5645 2.4 GHz (LB211AA) сертифицирован для продажи в России.

HP Xeon E5645 2.4 GHz (LB211AA) – фото, технические характеристики, условия доставки по Москве и России. Для того, чтобы купить HP Xeon E5645 2.4 GHz (LB211AA) в интернет-магазине Xcom-shop.ru, достаточно заполнить форму онлайн заказа или позвонить по телефонам: +7 (495) 799-96-69, +7 (800) 200-00-69.

Изображения товара, включая цвет, могут отличаться от реального внешнего вида. Комплектация также может быть изменена производителем без предварительного уведомления. Данное описание и количество товара не является публичной офертой.

Доставка товаров

SIMATIC IPC, промышленный ПК Core i3-8100 (4C/4T, 3.6 GHz, 6 MB cache, VT-d). IPC627E (Box PC), встроенная UHD-видеокарта. DP/DVI-D. 3x HDD 2.5» SATA 320 GB internal. 16 GB DDR4-2666 (2×8). Gigbit Ethernet (IE/PN). 6x USB 24 V DC industrial pow

Код товара 8683714

Артикул 6AG4131-3CA20-8BA2

Страна Германия

Наименование «SIMATIC IPC, промышленный ПК Core i3-8100 (4C/4T, 3.6 GHz, 6 MB cache, VT-d). IPC627E (Box PC), встроенная UHD-видеокарта. DP/DVI-D. 3x HDD 2.5″» SATA 320 GB internal. 16 GB DDR4-2666 (2×8). Gigbit Ethernet (IE/PN). 6x USB 24 V DC industrial power supply V3.1 Gen.2. 1x последовательный Without operating system. порт (COM 1). встроенный SIMATIC IPC DiagMonitor RAID-контроллер. вотчдог, supplied. контроль температуры и without expansion (HW). вентилятора 2x PCIe (x16, x4)»

Упаковки  

Сертификат RU Д-DE.АД07.B00606-19

Характеристики

Код товара 8683714

Артикул 6AG4131-3CA20-8BA2

Страна Германия

Наименование «SIMATIC IPC, промышленный ПК Core i3-8100 (4C/4T, 3.6 GHz, 6 MB cache, VT-d). IPC627E (Box PC), встроенная UHD-видеокарта. DP/DVI-D. 3x HDD 2.5″» SATA 320 GB internal. 16 GB DDR4-2666 (2×8). Gigbit Ethernet (IE/PN). 6x USB 24 V DC industrial power supply V3.1 Gen.2. 1x последовательный Without operating system. порт (COM 1). встроенный SIMATIC IPC DiagMonitor RAID-контроллер. вотчдог, supplied. контроль температуры и without expansion (HW). вентилятора 2x PCIe (x16, x4)»

Упаковки  

Сертификат RU Д-DE.АД07.B00606-19

Всегда поможем:
Центр поддержки
и продаж

Скидки до 10% +
баллы до 10%

Доставка по городу
от 150 р.

Получение в 150
пунктах выдачи

N8976B Анализатор коэффициента шума, мультитач, от 10 МГц до 40 ГГц

• Диапазон частот от 10 МГц до 40 ГГц в едином решении
• Мультитач-интерфейс
• Включает режимы анализатора спектра и анализатора IQ (базовый)
• Встроенная стандартная опция: P44, PFR, FSA, NFE и B25
• Входной разъем 2,4 мм (м)
Совместимость источников шума серии
• SNS: N4000A, N4001A, N4002A
• Расширьте возможности решения NFA до 110 ГГц с помощью специальных блочных понижающих преобразователей
• U7227F Внешний предусилитель USB от 2 ГГц до 50 ГГц и 346CK40 Источник шума от 1 ГГц до 40 ГГц в комплекте

Высокопроизводительный анализатор коэффициента шума N8976B предназначен для быстрых, точных и воспроизводимых измерений коэффициента шума.При соединении с источником шума серии SNS и предварительным усилителем USB серии U7227 данные ENR из данных предварительного усилителя SNS и USB автоматически загружаются в N8976B.

N8976B имеет мультисенсорный интерфейс, который позволяет использовать жесты растягивания, сжатия и перетаскивания. Доступ к большинству меню можно получить одним касанием пальца без смены экранов.

Калибровка источника шума для измерений Y-фактора была упрощена, позволяя проводить комбинированную калибровку до 12 установок DUT за один шаг.Экономия драгоценного времени тестирования может быть достигнута для многих типов DUT за счет использования функции внутренней калибровки, которая не требует выполнения калибровки пользователем.

Встроенный калькулятор погрешности коэффициента шума может предварительно заполнить данные из источника шума SNS, предварительного усилителя USB, а также все необходимые параметры прибора, такие как коэффициент шума анализатора, погрешность коэффициента усиления и коэффициента шума, а также согласование. Настройки коэффициента шума по умолчанию предлагают одновременные измерения коэффициента шума и усиления.Используя представление таблицы, можно одновременно просматривать в табличной форме несколько измерений, включая коэффициент шума, коэффициент шума, коэффициент Y, усиление, P _{горячий} , P _{холодный} и T _{эффективный} .

N8976B имеет дополнительную гибкость с режимами анализатора спектра и IQ Analyzer (базовый), что позволяет клиентам выйти за рамки коэффициента шума для дальнейшего анализа характеристик DUT, если это необходимо.

A Внутренний предусилитель 44 ГГц (опция P44), полоса анализа 25 МГц (опция B25), прецизионный эталон частоты (опция PFR), ступенчатый аттенюатор (опция FSA) и расширения минимального уровня шума (опция NFE) включены в качестве стандартных опций.

Внешний имитированный гетеродин на входе устройства преобразования частоты может быть получен путем подключения к генератору сигналов Keysight через LAN, USB или GPIB. Регулировка гетеродина осуществляется с N8973B.

Подробнее об анализаторах коэффициента шума серии NFA

ye aarzu thi tujhe gul ke ru-ba-ru karte

ye aarzū thī tujhe gul ke rū-ba-rū karte

ham aur bulbul-e-betāb guftugū karte

Я бы хотел, чтобы твое лицо было рядом с розой.

О нашей любви, потом поговорил бы соловей и я

payāmbar na mayassar huā to huub huā

zabān-e-hair se kyā sharh-e-ārzū karte

То, что посланник не был найден, повод для радости

Как я мог выразить свою любовь в чужом voice

mirī tarah se mah-o-mehr bhī haiñ āvāra

kisī habīb kī ye bhī haiñ justujū karte

Подобно мне, солнце и луна тоже бесцельно блуждают

Они тоже ищут своего любовника, как и я

хамеша ранг-э-замана бадалта рахта хай

сафед ранг хайн атхир шийах му карт

луТате даулат-э-дуния ко май-каде мен хам

тила.ī sāġhar-e-mai nuqra.ī subū karte

Постоянно сумасшедший, мой воротник я арендую

Какие портные пытались штопать, всю свою жизнь потратили

hamesha maiñ ne garebāñ ko chaak chaak kiyā

tamām umr rafūgar rahe rafū karte

Tween kaabaa и лицо любимого человека — глубокая близость

Трупы, к Мекке по какой-то причине обращаются за помощью

jo dekhte tirī zanjīr-e-zulf kā aalam

asiir hone kī āzād

asiir hone kī āzād

Увы, судьба тех, кто хвастается невосприимчивостью к огню

Кто сейчас, среди огненной бури, стремится к дождю

bayāz-e-gardan-e-jānāñ ko sub.h kahte jo ham

sitāra-e-saharī takma-e-gulū karte

ye ka.abe se nahīñ be-vaj.h nisbat-e-ruḳh-e-yār

ye be-sabab nahīñ murde ko qibla- rū karte

sikhāte nāla-e-shab-gīr ko dar-andāzī

ġham-e-firāq kā us charḳh ko adū karte

vo jān-e-jāñ nahīñ aatā to maut hī dilig-o21-9011 ко кахан так бхала лаху карта

на пучх алам-э-баргашта-тала.и ‘атиш

барасти ааг джо баран ки арзу карта

йе аарзу ти туджхе гул хум ру-баур

-e-betab guftugu karte

Я бы хотел, чтобы ваше лицо было рядом с розой

О нашей любви, а затем поговорил бы со мной и соловьем

payambar na mayassar hua с KHub hua

zaban-e-ghair se kya sharh-e-arzu karte

То, что посланник не найден, повод для радости

Как я мог выразить свою любовь чужим голосом

m eri tarah se mah-o-mehr bhi hain aawara

kisi habib ki ye bhi hain justuju karte

Как и я, солнце и луна тоже бесцельно блуждают

Они тоже ищут своего любовника, как и я

hamesha rang- e-zamana badalta rahta hai

safed rang hain aaKHir siyah mu karte

luTate daulat-e-duniya ko mai-kade mein hum

tilai saghar-e-mai nuqrai subu karte

Постоянно помешался аренда

Которые портные пытались штопать, всю свою жизнь потратили

hamesha main ne gareban ko chaak chaak kiya

tamam umr rafugar rahe rafu karte

Твин каабаа и лицо любимого человека — глубокая близость

Трупы, в сторону Мекки по делу должны быть

jo dekhte teri zanjir-e-zulf ka aalam

asir hone ki aazad aarzu karte

Увы судьба тех, кто хвастается невосприимчивостью к огню

Кто, теперь , среди огненной бури, чтобы идти дождь aspire

bayaz-e-gardan-e-jaanan ko subh kahte jo hum

sitara-e-sahari takma-e-gulu karte

ye kabe se nahin be-wajh nisbat-e-ruKH-e-yar

ye be-sabab nahin murde ko qibla-ru karte

sikhate nala-e-shab-gir ko dar-andazi

gham-e-firaq ka us charKH ko adu karte

wo jaan-e-jaan nahin aata to maut hi aati

dil-o-jigar ko kahan tak bhala lahu karte

na puchh aalam-e-bargashta-talai ‘atish’

barasti aagz jo baran karte aati

Видео

Это видео воспроизводится с YouTube

Доступна дополнительная информация

Нажмите на ИНТЕРЕСНУЮ кнопку, чтобы просмотреть дополнительную информацию, связанную с этим шерстью.

редкий Неопубликованный контент

Эта газель содержит ашаар, не опубликованный в открытом доступе. Они отмечены красной линией слева.

Индекс газелей от «b» до «m»

{049} phir hu)) aa vaqt ки хо баал-куша маудж-э шарааб de ba: t-e mai ko dil-o-dast-e shinaa mauj-e sharaab {050} afsos kih dandaa; N kaa kiyaa rizq falak ne jin logo; N kii thii dar; xvur-e ((aqd-e guhar angusht {051} рахаа гар ко)) ii таа киямат саламат пхир ик роз марнаа хай; ха.зрат саламат {052} mu; Nd ga)) ii; N холте хии холте аа; Нхе; Н; Гаалиб yaar laa)) e mirii baalii; N pah use par kis vaqt {053} aamad-e; xa: t se ху)) aa hai sard jo baazaar-e dost дууд-е шам ((a-e kushtah thaa shaayad; xa: t-e ru; xsaar-e dost {054} гульшан ме; N band-o-bast ба ранг-е дигар хай аадж qumrii kaa: tauq; halqah-e beruun-e dar hai aaj {055} lo ham marii.z-e ((ishq ke biimaar-daar hai; N аччхаа агар нах хо то масии; хаа каа кьяа ((ilaaj {056} nafas nah anjuman-e aarzuu se baahar khe; Nch agar sharaab nahii; N inti: zaar-e saa; Gar khe; Nch {057} ; Husn; Gamze kii кашаакаш се чху; Таа простой ба ((d baare aaraam se hai; N ahl-e jafaa simple ba ((ум. {058} balaa se hai; N jo bah pesh-e na: zar dar-o-diivaar nigaah-e shauq ko hai; N baal-o-par dar-o-diivaar {059} ghar jab banaa liyaa Tire dar par kahe ba; Gair jaanegaa ab bhii tuu nah miraa ghar kahe ba; Gair {060} kyuu; N jal gayaa nah taab-e ru; x-e yaar dekh kar jaltaa huu; N apnii: taaqat-e diidaar dekh kar {061} laraztaa hai miraa dil za; hmat-e mihr-e dara; xshaa; N par mai; N huu; N vuh qa: trah-e shabnam kih ho; xaar-e bayaabaa; N par {062} hai baskih har ik un ke ishaare me; N nishaa; N aur karte hai; N mu; habbat to guzartaa hai gumaa; N aur {063} .сафаа-э; хайрат-э аа)) iinah hai saamaan-e zang aa; xir ta; Gayyur aab-e bar-jaa-maa; Ndah kaa paataa hai rang aa; xir {064} junuu; N kii dast-giirii kis se ho gar ho nah ((uryaanii garebaa; N-chaak kaa; haq ho gayaa hai meri gardan par {065} ситам-каш ма.сли; шляпа се хуу; Н ких; сюубаа; Н туджх пар ((аашик хай; N takalluf bar-: taraf mil jaa)) egaa tujh-saa raqiib aa; xir {066} laazim thaa kih dekho miraa rastaa ko)) ii din aur tanhaa ga)) e kyuu; N ab raho tanhaa ko)) ii din aur {067} faari; G mujhe nah джан ки маанинд-э.саб; h-o-mihr Хай даа; Ге ((ishq ziinat-e jeb-e kafan hanuuz {068} ; hariif-e ma: tlab-e мушкил нахии; Н фусуун-э нияз ду ((aa qabuul ho yaa rab kih ((umr-e; xizr daraaz {069} vus ((at-a sa ((ii-e Карам дех ких сар-таа-сар-э; хак guzre hai aabilah-paa abr-e guhar-baar hanuuz {070} кюу; Нкар сша, но se rakhuu; N jaan ((aziiz kyaa nahii; N hai mujhe iimaan ((aziiz {071} nah gul-e na; Gmah хуу; Н нах пардах-э сааз mai; N huu; N apnii shikast kii aavaaz {072} мужчин ай; заук-е asiirii kih na: zar aataa hai daam-e; xaalii qafas-e mur; G-e giriftaar ke paas {073} nah leve gar; xas-e Джаухар: тараават сабзах-э; ша: т сэ lagaave; xaanah-e aa)) iinah me; N ruu-e nigaar aatish {074} джаадах-э рах; xvur ko vaqt-e shaam hai taar-e shu ((aa (( char; x vaa kartaa hai maah-e nau se aa; Gosh-e vidaa (( {075} ru; x-e nigaar se hai soz-e jaavidaanii-e sham ((a hu)) ii hai aatish-e gul aab-e zindagaanii-e sham ((a {076} biim-e raqiib se nahii; N karte vidaa ((- e hosh majbuur yaa; N talak hu)) e ai i; xtiyaar; haif {077} za; xm par chhi; Rke; N кахаа; н .: тифлан-э бе-парваа намак kyaa mazah hotaa agar patthar me; N bhii hotaa namak {078} aah ko chaahiye ik ((umr a; sar hote tak каун jiitaa hai tyre zulf ke sar hote tak {079} gar tujh ko hai yaqiin-e иджабат ду ((aa nah maa; Ng я ((нии ба; Гаир-е як дил-е бе-мудда ((аа на маа; Нг {080} hai kis qadar halaak-e fareb-e vafaa-e gul Bulbul ke kaarobaar pah hai; N; xandah’haa-e gul {081} ; Gam nahii; N hotaa Хай Аазаадо; Н ко беш аз як нафас barq se karte hai; N raushan sham ((- e maatam-; xaanah ham {082} ba-naalah; haa.Sil-e dil-bastagii faraaham kar ma: taa ((- e; xaanah-e zanjiir juz .sadaa ma ((luum {083} mujh ko diyaar-e ; Gair me; N maaraa va: tan se duur rakh lii mire; xudaa ne mirii bekasii kii sharm ПРОДОЛЖАЙТЕ традиционную последовательность газелей …

Неохлаждаемый спин-болометр с частотой менее ГГц, управляемый автоколебаниями

Схема эксперимента

В этом исследовании MTJ со структурой «Нижний электрод | Буферный слой (Ru | Ta) | Ir – Mn (7.0 нм) | Co – Fe | Ru | Co – Fe – B | MgO (1.0 нм) | Fe – B (2.0 нм) | MgO (0.5 нм) | Металлический колпачок (Ta (3.0 нм) | Ru (7.0 нм)) | Верхний электрод »Был нанесен на кремниевую подложку (см. Раздел« Методы »). Диаметр MTJ составлял 190 нм. На рисунке 2а показана схема MTJ вместе с системой координат с азимутальным углом θ и углом поворота φ . Красные и черные стрелки представляют намагниченность свободного и закрепленного слоя соответственно (намагниченность закрепленного слоя находится в направлении — y .Мы получили коэффициент магнито-сопротивления 43% и произведение сопротивления на площадь 3,9 Ом µм ² (см. Дополнительную информацию в дополнительном примечании 2). Схема, используемая для измерения крутящего момента диода, показана в дополнительном примечании 2.

Рис. 2: Спектр спин-крутящего диода.

a Схема магнитного туннельного перехода и система координат с азимутальным углом θ и углом поворота φ . Красные и черные стрелки представляют намагниченности свободного и закрепленного слоя соответственно. b Частотная зависимость напряжения на диоде в магнитном поле B = 50 мТл, θ = 11 ° и φ = 45 ° при постоянном токе смещения I _dc = −2,6 мА. Входная микроволновая мощность P составляет -55 дБмВт. c Цветное отображение напряжений диодов при напряженности магнитного поля 44–60 мТл, азимутальных углах 6–12 ° и углах поворота 20–60 °.

Чувствительность

На рисунке 2b показана частотная зависимость напряжения на диоде при постоянном токе -2.6 мА и микроволны мощностью −55 дБмВт. Четкий резонансный пик наблюдался на частоте 0,62 ГГц. Чтобы получить максимальное напряжение на диоде, мы измерили его величину при различных условиях приложенного магнитного поля (рис. 2в). Мы получили максимальное напряжение на диоде 10,6 мВ при оптимальных условиях B = 50 мТл, θ = 11 ° и φ = 45 ° при I _{постоянного тока} = −2,6 мА. Из этого напряжения на диоде мы получили чувствительность (напряжение на диоде / входная микроволновая мощность), равная (3.37 ± 0,03) × 10 ⁶ В / Вт. С учетом вносимых потерь в кабелях и T смещения 1,16 дБ, чувствительность составила (4,40 ± 0,04) × 10 ⁶ В / Вт. Это значение чувствительности примерно в двадцать раз выше, чем ранее сообщенное значение эффекта вращающего момента ²⁵ диода.

На рис. 3 показана зависимость напряжения на диоде от СВЧ-мощности при оптимальных условиях. Напряжение на диоде монотонно увеличивается при мощности микроволн менее 10 нВт и достигает насыщения при мощностях микроволн выше 10 нВт.Пунктирная красная линия представляет собой линейную подгонку напряжений диодов менее 10 нВт, что соответствует чувствительности (1,87 ± 0,09) × 10 ⁶ В / Вт, включая вносимые потери схемы. Это значение на порядок выше, чем полученное ранее ²⁵ , и аналогично чувствительности, полученной в обычных неохлаждаемых болометрах ^16,17,18,19 .

Рис. 3. Зависимость напряжения на диоде от СВЧ-мощности при оптимальных условиях (напряженность магнитного поля B = 50 мТл, азимутальный угол θ = 11 ° и угол поворота φ = 45 °).

Погрешности определяются как стандартные отклонения напряжения на диоде вблизи резонансной частоты 0,60–0,62 ГГц. Пунктирная красная линия представляет собой линейную аппроксимацию диодных напряжений менее 10 нВт.

Чтобы понять происхождение этого напряжения на диоде, мы измерили его зависимость от угла места магнитного поля. Мы обнаружили, что эта зависимость согласуется с симметрией нелинейного напряжения на диоде (см. Дополнительное примечание 3), предполагая, что высокое напряжение на диоде является результатом нелинейного диодного эффекта.

Спектр мощности шума

Далее мы измерили спектр мощности шума MTJ под током смещения постоянного тока, чтобы подтвердить возбуждение автоколебаний спинового момента. На рисунке 4а показана схема, используемая для измерения шума (см. Раздел «Методы»). Мощность шума от MTJ измерялась с помощью анализатора спектра. На рисунке 4b показано цветовое отображение спектра мощности шума при постоянном напряжении смещения. Мы приложили магнитное поле с B, = 48 мТл, θ, = 19,3 ° и φ, = 80 °, что привело к оптимальному напряжению на диоде 570 мкВ при I _{постоянного тока} = −2.4 мА и мощность микроволн −56 дБмВт. Пунктирная желтая линия указывает на увеличение, т. Е. На термически возбужденный магнитный шум; его частота соответствует частоте ферромагнитного резонанса. Мы обнаружили, что пиковая частота скачкообразно изменяется при напряжении смещения приблизительно -290 мВ. На рисунке 4в показаны спектры мощности шума в диапазоне напряжений от -280 до -299 мВ. Пик увеличения, показанный пунктирной желтой линией, исчезает при -295 мВ, а новый пик, показанный пунктирной красной линией, появляется при -290 мВ.Как обсуждается ниже, мы приписали новый пик автоколебанию крутящего момента.

Рис. 4: Измерение спектра мощности шума.

a Схема измерительной цепи, используемой для спектра мощности шума. b Цветовое отображение зависимости напряжения смещения спектра мощности шума. Полоса разрешения составляет 5 МГц. c Спектры мощности шума в диапазоне напряжения смещения от -280 до -299 мВ. В обоих ( b ) и ( c ) пунктирные желтые и красные линии представляют пиковую частоту из-за увеличения и автоколебания крутящего момента соответственно.Они нарисованы от руки в качестве ориентира для глаза.

Мы оценили зависимость пикового значения частоты, полной ширины на полувысоте, сопротивления и напряжения на диоде от напряжения смещения, как показано на рис. 5a – d, соответственно. Красная пунктирная линия представляет напряжение В _A , при котором появляется новый пик, как показано на рис. 5a. Как показано на рис. 5b, полная ширина на полувысоте имеет свой локальный минимум при напряжении смещения приблизительно -180 мВ. Это типичное поведение во время автоколебаний крутящего момента и свидетельствует о наличии антидемпфирующего момента.Пунктирная синяя линия показывает линейную аппроксимацию в диапазоне от -10 до -180 мВ. Горизонтальный пересечение этой линии соответствует приблизительно -260 мВ, что является порогом автоколебаний крутящего момента и близко к В, , _{, А,} . Причем сопротивление MTJ резко падает на В, , _{, А,} . Это связано с тем, что угол прецессии намагничивания увеличивается из-за автоколебаний спинового момента, а центр прецессии изменяется под действием потенциала намагничивания более высокого порядка.Это изменение сопротивления из-за прецессии намагничивания является источником нелинейного напряжения на диоде. Как показано на рис. 5d, В _А соответствует пороговому значению напряжения на диоде. Следовательно, высокая чувствительность диода вызвана автоколебаниями крутящего момента.

Рис. 5: Влияние автоколебаний крутящего момента.

a Увеличенный график на рис. 4b. b — d Зависимость напряжения смещения ( b ) от полной ширины на полувысоте (FWHM), ( c ) сопротивления и ( d ) напряжения диода.Пунктирная красная линия — это пороговое напряжение В, , _{, А,} , связанное с диодным эффектом. Пунктирная синяя линия — это линейная аппроксимация FWHM в диапазоне от -180 до -10 мВ; его горизонтальный отрезок соответствует пороговому напряжению автоколебания крутящего момента.

HCMA

Нелинейный диодный эффект, возникающий в результате автоколебаний вращающего момента, требует синхронизации с радиочастотным вращающим моментом ²⁸ . Возможным источником высокочастотного вращающего момента в этом исследовании является HCMA.Ранее мы сообщали, что в системе MgO | FeB | MgO ²⁷ за счет джоулева нагрева создается чрезвычайно высокий крутящий момент. Чтобы измерить величину HCMA в нашем MTJ, мы определили магнитную анизотропию с помощью измерений на спин-крутящем диоде. На рис. 6а показана зависимость резонансной частоты намагничивания от перпендикулярного магнитного поля. Схема измерения аналогична схеме, показанной на дополнительном рисунке S1 (a) (см. Раздел «Методы» и дополнительное примечание 2). Микроволны подавались на MTJ с мощностью -30 дБмВт в месте расположения образца.Пунктирными линиями показана линейная подгонка резонансной частоты, точка пересечения которой по горизонтали соответствует эффективному полю анизотропии ΔH _eff . Мы рассчитали перпендикулярную магнитную анизотропию \ (K = \ frac {1} {2} \ mu _0M _ {\ mathrm {s}} {\ Delta} H _ {{\ mathrm {eff}}} \) с использованием эффективного поля анизотропии и намагниченность насыщения M _s , равная 1,9 Тл. На рисунке 6b показана зависимость перпендикулярной магнитной анизотропии от напряжения смещения. Белые и закрашенные кружки представляют направление развертки напряжения.Красная пунктирная линия — аппроксимирующая кривая полинома второго порядка. Мы обнаружили, что перпендикулярная магнитная анизотропия параболически уменьшается с увеличением напряжения смещения. Этот результат предполагает, что перпендикулярная магнитная анизотропия изменяется из-за джоулева нагрева.

Рис. 6: Определение характеристик HCMA по результатам измерения FMR.

a Зависимость частоты ферромагнитного резонанса от перпендикулярного магнитного поля, измеренная методом спин-крутящего диода. Пунктирные линии обозначают линейную подгонку. b Зависимость перпендикулярной магнитной анизотропии от напряжения смещения. Белые и закрашенные кружки представляют направления развертки напряжения. Пунктирная красная линия — аппроксимирующая кривая многочлена второго порядка.

Используя коэффициент второго порядка аппроксимирующего уравнения, мы получили величину HCMA, равную -2,7 мкДж / Вт · м. HCMA определяется как изменение перпендикулярной магнитной анизотропии за счет джоулева нагрева на единицу площади:

$$ {\ rm {HCMA}} = \ frac {{\ partial K}} {{\ partial \ left ({P / S } \ right)}} = k_2SR, $$

(1)

, где P, представляет собой джоулевое нагревание, S представляет собой площадь MTJ, R представляет собой сопротивление MTJ, а k _i ( i = 0, 1, 2) является полиномиальный коэффициент зависимости перпендикулярной магнитной анизотропии от напряжения смещения, определяемый как K = K ₀ + k ₁ V + k ₂ V ² .В общем, k ₂ может включать вклады от эффекта нелинейной управляемой напряжением магнитной анизотропии (VCMA); например, V-образная зависимость магнитной анизотропии от напряжения ранее сообщалась в MTJ ²⁹ с высоким RA на основе MgO | FeB | MgO. Однако, как показано на рис. 6 (b), наш низкий RA-MTJ показывает четкую параболическую зависимость магнитной анизотропии от напряжения, и, следовательно, нелинейный эффект VCMA не влияет в основном на наш результат. Это говорит о том, что вклад изменения магнитной анизотропии, вызванного джоулевым нагревом, является доминирующим; соответственно, мы рассчитали HCMA по формуле.(1).

Полученное таким образом HCMA примерно в три раза превышает ранее сообщенное значение -0,9 мкДж / Вт · м ²⁷ . Увеличение значения HCMA связано с высокоомным покрытием MgO. Хотя сопротивление покрытия MgO в предыдущем исследовании было меньше, чем сопротивление барьера MgO, в этом исследовании эти два сопротивления примерно одинаковы. Покрытие из MgO с высоким сопротивлением подавляет диффузию тепла и способствует повышению температуры. В результате крутящий момент от HCMA больше, чем от эффекта VCMA и крутящего момента передачи вращения (см. Дополнительное примечание 4).Мы пришли к выводу, что высокое напряжение на диоде является результатом теплового вращающего момента из-за высокого HCMA.

HCMA обеспечивает высокую чувствительность в определенном диапазоне мощности ВЧ. В предыдущем исследовании чувствительность 8 × 10 ⁴ В / Вт была получена с использованием выталкивания ядра вихря в MTJ ²⁴ с постоянным смещением. Однако при использовании этого метода напряжение на диоде насыщается с увеличением мощности микроволн, что снижает чувствительность. Напротив, устройство в настоящем исследовании сохраняет свою высокую чувствительность в относительно широком диапазоне РЧ мощности, как показано на рис.3. Кроме того, в предыдущем исследовании, чувствительность 2 × 10 ⁵ В / Вт была получена с использованием автоколебаний вращающего момента и фазовой синхронизации ²⁵ . В настоящем исследовании для фазовой синхронизации используется HCMA, а не крутящий момент передачи спина. Чтобы сравнить каждый вращающий момент, мы охарактеризовали величины вращающих моментов с точки зрения их эффективных магнитных полей. В наших устройствах эффективные высокочастотные магнитные поля HCMA и крутящий момент с передачей спина составляют 500 мкТл и 9,8 мкТл соответственно при мощности микроволн -55 дБмВт (см. Дополнительное примечание 4).Этот результат предполагает, что HCMA генерирует больший крутящий момент, чем обычный крутящий момент с передачей вращения, и, таким образом, обеспечивает более высокую чувствительность.

Кроме того, значение HCMA может быть увеличено за счет улучшения тепловой конструкции, как обсуждалось Окуно ³⁰ . Напротив, увеличение крутящего момента с передачей спина требует уменьшения намагниченности или толщины ферромагнитного слоя; это вызывает ухудшение MTJ. Таким образом, использование HCMA является многообещающим для дальнейшего повышения чувствительности.

HCMA также полезен для расширения динамического диапазона. Хотя динамический диапазон ограничен напряжением, эквивалентным шуму, его можно улучшить, увеличив толщину ферромагнетика. Однако крутящий момент передачи вращения и VCMA значительно уменьшаются, когда это делается. HCMA уменьшается лишь незначительно, потому что на повышение температуры ферромагнитного слоя в основном влияет слой MgO, через который проходит тепло, а не слой FeB. Следовательно, HCMA является подходящим крутящим моментом для улучшения динамического диапазона (см. Дополнительное примечание 5).{- 16} \, {\ mathrm {W}} / \ sqrt {{\ mathrm {Hz}}} \) с использованием того же количества устройств и при одинаковой температуре. Тогда наш NEP становится всего на один-два порядка больше, чем у сверхпроводящего болометра, хотя частота обнаружения на два-три порядка меньше. Следовательно, для улучшения NEP спин-болометра необходимо подавление магнитного шума и повышение чувствительности. В то время как NEP при нелинейном диодном эффекте в MTJ обсуждался в предыдущем исследовании ²³ , NEP при автоколебаниях спинового момента не обсуждался.Следовательно, в этом отношении необходимы дальнейшие теоретические исследования.

Мы разработали спин-болометр, использующий тепловыделение в MTJ. Мы получили среднюю и максимальную чувствительность (1,87 ± 0,09) × 10 ⁶ В / Вт и (4,40 ± 0,04) × 10 ⁶ В / Вт, соответственно. Это устройство обеспечивает высокое значение чувствительности, о котором ранее не сообщалось при комнатной температуре в диапазоне частот ниже ГГц. Такая высокая чувствительность объясняется нелинейным напряжением на диоде, генерируемым тепловым вращающим моментом в условиях автоколебаний вращающего момента.Автоколебания крутящего момента синхронизированы с крутящим моментом, вызванным нагревом, из-за высокого HCMA. В этом исследовании мы показали, что HCMA полезен для получения высокой чувствительности. Кроме того, мы получили значение HCMA, равное -2,7 мкДж / Вт · м, что примерно в три раза выше, чем полученное ранее. Используя HCMA, возможно дальнейшее улучшение динамического диапазона и чувствительности. Наше исследование также показывает, что спиновый крутящий момент, вызванный нагревом, имеет большое значение для микроволновых характеристик спиновых устройств. В будущем необходимы дальнейшие исследования для улучшения NEP в условиях автоколебаний крутящего момента.Это исследование послужит основой для разработки высокочувствительных устройств микроволновой связи.

% PDF-1.7 % 1 0 объект > эндобдж 2 0 obj > транслировать xN1 0 oi5wv4k_0 ] j0 {iℤ «fTw-ѯa {ٞ` [= \. jJ1%` A> hz] {$ D’o7ͩĞ% ѹ Nendstream эндобдж 4 0 obj > транслировать 2020-08-04T09: 24: 43 + 09: 002020-08-04T09: 18: 49 + 09: 002020-08-04T09: 24: 43 + 09: 00 Microsoft® Word Office 365 용 приложение / pdfuuid: 8d3a4c38-e894- 4756-92dc-79c8101e4b0euuid: 28887fe0-0c2b-4883-83dd-036831b7acf9 Microsoft® Word Office 365 용 конечный поток эндобдж 5 0 obj > транслировать xѱN @ О? -Ei (Д.J

Поглощение микроволн в диапазоне 0,1–18 ГГц, магнитные и структурные свойства SrFe12-xRuxO19 и BaFe12-xRuxO19

https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.152930Получить права и содержание

Основные моменты

•

SrFe _{12- x} Ru _x O ₁₉ и BaFe _{12- x} Ru _x O ₁₉ с высоким содержанием примеси Ru кристаллизуются в ферритах M-типа.

•

Свойства поглощения микроволн были значительно улучшены за счет легирования Ru.

•

Значительное улучшение поглощения микроволн анализируется на основе магнитных и структурных свойств.

Abstract

Гексагональные ферриты SrFe ₁₂ O ₁₉ и BaFe ₁₂ O ₁₉ обладают высокой магнитокристаллической анизотропией из-за ионов в позиции 2b. Осевая составляющая в позиции 2b ослабляется легированием Ru, что отражается в уточнении xrd и ИК-Фурье спектрах. При этом коэрцитивная сила SrFe _{12- x} Ru _x O ₁₉ уменьшается с 4.38 кЭ для x = от 0 до 0,68 кЭ для x = 0,5 и 0,42 кЭ для x = 1,5. Для BaFe _{12- x} Ru _x O ₁₉ уменьшается с 2,47 кЭ в x = 0 до 1,10 кЭ в x = 1,0. При высокой магнитокристаллической анизотропии ферромагнитный резонанс (FMR) на частотах выше 40 ГГц как BaFe ₁₂ O ₁₉ , так и SrFe ₁₂ O ₁₉ падает за пределы 0,1–18 ГГц. В BaFe _{12- x} Ru _x O ₁₉ с x ≥0.3, FMR наблюдается на частоте 14,5 ГГц в диапазоне 0,1–18 ГГц, но потери на отражение (RL) очень низкие с RL ≥ −10 дБ. В SrFe _{12- x} Ru _x O ₁₉ сильное микроволновое поглощение с RL ≤ −10 дБ в диапазоне 0,1–18 ГГц наблюдается с 0,5 ≤ x ≤1,5. Оптимальный RL составляет -32 дБ, наблюдаемый в x = 1,0 и 1,3, а самая широкая полоса пропускания составляет 6,55 ГГц в x = 1,0 при толщине 2,3 мм. В x = 0,5, RL≤ − 10 дБ встречается в 14.2–18 ГГц. При изменении содержания Ru микроволновое поглощение SrFe _{12- x} Ru _x O ₁₉ полностью покрывает большой частотный диапазон 4,0–18 ГГц. Легирование Ru приводит к тому, что SrFe _{12- x} Ru _x O ₁₉ (0,5≤ x ≤1,5) становятся хорошими материалами, поглощающими микроволновое излучение в диапазоне 0,1–18 ГГц.

Ключевые слова

Поглощение микроволн

Феррит

Магнитный

Рекомендуемые статьи Цитирующие статьи (0)

Полный текст

© 2019 Elsevier B.V. Все права защищены.

Рекомендуемые статьи

Ссылки на статьи

Bosch | Датчики движения TriTech серии Professional | Детектор движения, 18 м, 10,588 ГГц

Титул	Тип	Язык
Заголовок AFNOR ([ISC-PDL1-W18H])	Тип PDF	Язык
Заголовок АНАТЕЛ	Тип PDF	Язык
Заголовок ГОСТ	Тип PDF	Язык
Заголовок Технические характеристики A&E	Тип DOC	Язык
Заголовок CAD чертеж DXF	Тип DXF	Язык
Заголовок CAD Drawing DXF (PDF с размерами)	Тип PDF	Язык
Заголовок Коммерческая брошюра (профессиональная серия)	Тип PDF	Язык
Заголовок Коммерческая брошюра (Стандарт технологий обнаружения вторжений и пожаров)	Тип PDF	Язык
Заголовок Коммерческая брошюра (Мы знаем, о чем идет речь)	Тип PDF	Язык
Заголовок Техническая спецификация	Тип PDF	Язык
Заголовок Инструкция по установке	Тип PDF	Язык
Заголовок Краткое руководство по выбору (детекторы вторжений (Ближний Восток и Африка))	Тип PDF	Язык
Заголовок Руководство по быстрому выбору (детекторы вторжений [во всем мире])	Тип PDF	Язык
Заголовок Краткое руководство по выбору (плакат с детекторами движения (Европа, Ближний Восток и Африка))	Тип PDF	Язык
Заголовок Специальный (помощь при работе)	Тип PDF	Язык
Заголовок Специальные (WEEE — старые электрические и электронные приборы — для Европы, Ближнего Востока и Африки)	Тип PDF	Язык
Заголовок WhitePaper (Объединение данных датчиков)	Тип PDF	Язык
Заголовок WhitePaper (Общая стоимость владения — детекторы)	Тип PDF	Язык
Заголовок Программное обеспечение	Тип ZIP	Язык
Заголовок Программное обеспечение	Тип ZIP	Язык

.